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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciZXMD63N03XTA
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXMD63N03XTA - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXMD63N03XTA
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXMD63N03XTA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Scheda dati
ZXMD63N03XTC.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 25950

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Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXMD63N03XTA
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXMD63N03XTA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXMD63N03XTA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA (Min)  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-MSOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 135mOhm @ 1.7A, 10V  
Potenza - Max 1.04W  
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base ZXMD63  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXMD63N03XTA

Proprietà del prodotto ZXMD63N03XTA ZXMD65P03N8TA ZXMD63C03XTA ZXMHC10A07N8TC
Modello di prodotti ZXMD63N03XTA ZXMD65P03N8TA ZXMD63C03XTA ZXMHC10A07N8TC
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Potenza - Max 1.04W 1.25W 1.04W 870mW
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V 25.7nC @ 10V 8nC @ 10V 2.9nC @ 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A 3.8A - 800mA, 680mA
Contenitore dispositivo fornitore 8-MSOP 8-SO 8-MSOP 8-SO
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 4V @ 250µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 100V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V 930pF @ 25V 290pF @ 25V 138pF @ 60V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
Rds On (max) a Id, Vgs 135mOhm @ 1.7A, 10V 55mOhm @ 4.9A, 10V 135mOhm @ 1.7A, 10V 700mOhm @ 1.5A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base ZXMD63 ZXMD65P03 ZXMD63 ZXMHC10A07
Serie - - - -

ZXMD63N03XTA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXMD63N03XTA PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXMD63N03XTA - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
ZXMD63N03XTC.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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