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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciZXMD65P03N8TA
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXMD65P03N8TA - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXMD65P03N8TA
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXMD65P03N8TA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
ZXMD65P03N8.pdf
In magazzino: 4070

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Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXMD65P03N8TA
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXMD65P03N8TA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXMD65P03N8TA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 55mOhm @ 4.9A, 10V  
Potenza - Max 1.25W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 930pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25.7nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base ZXMD65P03  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXMD65P03N8TA

Proprietà del prodotto ZXMD65P03N8TA ZXMHC10A07T8TA ZXMHC3A01N8TC ZXMD63N03XTA
Modello di prodotti ZXMD65P03N8TA ZXMHC10A07T8TA ZXMHC3A01N8TC ZXMD63N03XTA
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Serie - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 55mOhm @ 4.9A, 10V 700mOhm @ 1.5A, 10V 125mOhm @ 2.5A, 10V 135mOhm @ 1.7A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - Logic Level Gate Logic Level Gate
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25.7nC @ 10V 2.9nC @ 10V 3.9nC @ 10V 8nC @ 10V
Potenza - Max 1.25W 1.3W 870mW 1.04W
Numero di prodotto di base ZXMD65P03 ZXMHC10 ZXMHC3A01 ZXMD63
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 30V 100V 30V 30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A 1A, 800mA 2.17A, 1.64A 2.3A
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO SM8 8-SO 8-MSOP
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 930pF @ 25V 138pF @ 60V 190pF @ 25V 290pF @ 25V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual)
Pacchetto Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-223-8 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

ZXMD65P03N8TA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXMD65P03N8TA PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXMD65P03N8TA - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
ZXMD65P03N8.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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