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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciZXMD65P02N8TC
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXMD65P02N8TC - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXMD65P02N8TC
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXMD65P02N8TC
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
ZXMD65P02N8.pdf
In magazzino: 4250

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Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXMD65P02N8TC
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXMD65P02N8TC, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXMD65P02N8TC

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA (Min)  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 2.9A, 4.5V  
Potenza - Max 1.75W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base ZXMD65P02  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXMD65P02N8TC

Proprietà del prodotto ZXMD65P02N8TC ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07T8TA ZXMHC3F381N8TC
Modello di prodotti ZXMD65P02N8TC ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07T8TA ZXMHC3F381N8TC
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 15V 138pF @ 60V 138pF @ 60V 430pF @ 15V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO SM8 8-SO
Serie - - - -
Numero di prodotto di base ZXMD65P02 ZXMHC10A07 ZXMHC10 ZXMHC3F381
temperatura di esercizio - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - Logic Level Gate
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 2.9A, 4.5V 700mOhm @ 1.5A, 10V 700mOhm @ 1.5A, 10V 33mOhm @ 5A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A 800mA, 680mA 1A, 800mA 3.98A, 3.36A
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA (Min) 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-223-8 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tensione drain-source (Vdss) 20V 100V 100V 30V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Potenza - Max 1.75W 870mW 1.3W 870mW
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V 2.9nC @ 10V 2.9nC @ 10V 9nC @ 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

ZXMD65P02N8TC Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXMD65P02N8TC PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXMD65P02N8TC - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
ZXMD65P02N8.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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