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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciZXMD63C03XTA
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXMD63C03XTA - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXMD63C03XTA
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXMD63C03XTA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Scheda dati
ZXMD63C03X.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5000

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Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXMD63C03XTA
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXMD63C03XTA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXMD63C03XTA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA (Min)  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-MSOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 135mOhm @ 1.7A, 10V  
Potenza - Max 1.04W  
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base ZXMD63  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXMD63C03XTA

Proprietà del prodotto ZXMD63C03XTA ZXMD63C02XTA ZXMC4559DN8TC ZXMD63N02XTA
Modello di prodotti ZXMD63C03XTA ZXMD63C02XTA ZXMC4559DN8TC ZXMD63N02XTA
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 3V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V 350pF @ 15V 1063pF @ 30V 700pF @ 15V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - 2.4A, 1.7A 3.6A, 2.6A 2.5A
Potenza - Max 1.04W 1.04W 2.1W 1.04W
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
Rds On (max) a Id, Vgs 135mOhm @ 1.7A, 10V 130mOhm @ 1.7A, 4.5V 55mOhm @ 4.5A, 10V 130mOhm @ 1.7A, 4.5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V 6nC @ 4.5V 20.4nC @ 10V 6nC @ 4.5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 30V 20V 60V 20V
Contenitore dispositivo fornitore 8-MSOP 8-MSOP 8-SO 8-MSOP
Numero di prodotto di base ZXMD63 ZXMD63 ZXMC4559 ZXMD63
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

ZXMD63C03XTA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXMD63C03XTA PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXMD63C03XTA - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices EOL 22/May/2018.pdf
Schede tecniche
ZXMD63C03X.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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