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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciZXMHC10A07N8TC
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXMHC10A07N8TC - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXMHC10A07N8TC
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXMHC10A07N8TC
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
ZXMHC10A07N8.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 86190

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Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXMHC10A07N8TC
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXMHC10A07N8TC, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXMHC10A07N8TC

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 700mOhm @ 1.5A, 10V  
Potenza - Max 870mW  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 138pF @ 60V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 100V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 800mA, 680mA  
Configurazione 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)  
Numero di prodotto di base ZXMHC10A07  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXMHC10A07N8TC

Proprietà del prodotto ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07T8TA ZXMHC6A07N8TC ZXMD65P02N8TC
Modello di prodotti ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07T8TA ZXMHC6A07N8TC ZXMD65P02N8TC
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Caratteristica FET - - Logic Level Gate -
Configurazione 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 P-Channel (Dual)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 138pF @ 60V 138pF @ 60V 166pF @ 40V 960pF @ 15V
Potenza - Max 870mW 1.3W 870mW 1.75W
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 100V 100V 60V 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 10V 2.9nC @ 10V 3.2nC @ 10V 20nC @ 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-223-8 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 800mA, 680mA 1A, 800mA 1.39A, 1.28A 4A
Serie - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO SM8 8-SO 8-SO
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min)
Rds On (max) a Id, Vgs 700mOhm @ 1.5A, 10V 700mOhm @ 1.5A, 10V 250mOhm @ 1.8A, 10V 50mOhm @ 2.9A, 4.5V
Numero di prodotto di base ZXMHC10A07 ZXMHC10 ZXMHC6A07 ZXMD65P02

ZXMHC10A07N8TC Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXMHC10A07N8TC PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXMHC10A07N8TC - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Schede tecniche
ZXMHC10A07N8.pdf

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