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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciZXMD63N02XTC
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXMD63N02XTC - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXMD63N02XTC
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXMD63N02XTC
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Scheda dati
ZXMD63N02XT(C,A).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5090

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Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXMD63N02XTC
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXMD63N02XTC, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXMD63N02XTC

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-MSOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 1.7A, 4.5V  
Potenza - Max 1.04W  
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base ZXMD63  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXMD63N02XTC

Proprietà del prodotto ZXMD63N02XTC ZXMD63C03XTA ZXMD63N02XTA ZXMD63P03XTA
Modello di prodotti ZXMD63N02XTC ZXMD63C03XTA ZXMD63N02XTA ZXMD63P03XTA
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Numero di prodotto di base ZXMD63 ZXMD63 ZXMD63 ZXMD63
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V 8nC @ 10V 6nC @ 4.5V 7nC @ 10V
Contenitore dispositivo fornitore 8-MSOP 8-MSOP 8-MSOP 8-MSOP
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Configurazione 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 1.7A, 4.5V 135mOhm @ 1.7A, 10V 130mOhm @ 1.7A, 4.5V 185mOhm @ 1.2A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 15V 290pF @ 25V 700pF @ 15V 270pF @ 25V
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 3V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Potenza - Max 1.04W 1.04W 1.04W 1.04W
Serie - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 20V 30V 20V 30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A - 2.5A -

ZXMD63N02XTC Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXMD63N02XTC PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXMD63N02XTC - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
ZXMD63N02XT(C,A).pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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