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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciZXMD63C02XTA
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXMD63C02XTA - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXMD63C02XTA
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXMD63C02XTA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Scheda dati
ZXMD63C02XTC.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4160

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Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXMD63C02XTA
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXMD63C02XTA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXMD63C02XTA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-MSOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 1.7A, 4.5V  
Potenza - Max 1.04W  
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A, 1.7A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base ZXMD63  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXMD63C02XTA

Proprietà del prodotto ZXMD63C02XTA ZXMD63N02XTC ZXMC6A09DN8TA ZXMC4559DN8TC
Modello di prodotti ZXMD63C02XTA ZXMD63N02XTC ZXMC6A09DN8TA ZXMC4559DN8TC
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 60V 60V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Potenza - Max 1.04W 1.04W 1.8W 2.1W
Numero di prodotto di base ZXMD63 ZXMD63 ZXMC6A09 ZXMC4559
Configurazione N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 1.7A, 4.5V 130mOhm @ 1.7A, 4.5V 45mOhm @ 8.2A, 10V 55mOhm @ 4.5A, 10V
Serie - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 15V 700pF @ 15V 1407pF @ 40V 1063pF @ 30V
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Contenitore dispositivo fornitore 8-MSOP 8-MSOP 8-SO 8-SO
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V 24.2nC @ 10V 20.4nC @ 10V
Pacchetto Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A, 1.7A 2.5A 3.9A, 3.7A 3.6A, 2.6A

ZXMD63C02XTA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXMD63C02XTA PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXMD63C02XTA - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices EOL 22/May/2018.pdf
Schede tecniche
ZXMD63C02XTC.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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