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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciZXMHC10A07T8TA
ZXMHC10A07T8TA Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXMHC10A07T8TA - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXMHC10A07T8TA
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXMHC10A07T8TA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-223-8
Scheda dati
ZXMHC10A07T8TA.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 37130

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXMHC10A07T8TA
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXMHC10A07T8TA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXMHC10A07T8TA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SM8  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 700mOhm @ 1.5A, 10V  
Potenza - Max 1.3W  
Contenitore / involucro SOT-223-8  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 138pF @ 60V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 100V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1A, 800mA  
Configurazione 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)  
Numero di prodotto di base ZXMHC10  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXMHC10A07T8TA

Proprietà del prodotto ZXMHC10A07T8TA ZXMD63P03XTA ZXMHC6A07N8TC ZXMD63N03XTA
Modello di prodotti ZXMHC10A07T8TA ZXMD63P03XTA ZXMHC6A07N8TC ZXMD63N03XTA
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1A, 800mA - 1.39A, 1.28A 2.3A
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 138pF @ 60V 270pF @ 25V 166pF @ 40V 290pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 10V 7nC @ 10V 3.2nC @ 10V 8nC @ 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Potenza - Max 1.3W 1.04W 870mW 1.04W
Contenitore dispositivo fornitore SM8 8-MSOP 8-SO 8-MSOP
Serie - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 100V 30V 60V 30V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configurazione 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 P-Channel (Dual) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (max) a Id, Vgs 700mOhm @ 1.5A, 10V 185mOhm @ 1.2A, 10V 250mOhm @ 1.8A, 10V 135mOhm @ 1.7A, 10V
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro SOT-223-8 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Numero di prodotto di base ZXMHC10 ZXMD63 ZXMHC6A07 ZXMD63
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 3V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)

ZXMHC10A07T8TA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXMHC10A07T8TA PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXMHC10A07T8TA - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Design/Specifica
Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf
Schede tecniche
ZXMHC10A07T8TA.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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