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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFC26N50
IXFC26N50 Image
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IXFC26N50 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFC26N50
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFC26N50
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
ISOPLUS220™
Scheda dati
IXFC24N50, IXFC26N50.pdf
In magazzino: 4690

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFC26N50
Specifiche tecniche IXYS - IXFC26N50, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFC26N50

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS220™  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 13A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)  
Contenitore / involucro ISOPLUS220™  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFC26N50  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFC26N50

Proprietà del prodotto IXFC26N50 IXFB72N55Q2 IXFC13N50 IXFB80N50Q2
Modello di prodotti IXFC26N50 IXFB72N55Q2 IXFC13N50 IXFB80N50Q2
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc) 72A (Tc) 12A (Tc) 80A (Tc)
Contenitore / involucro ISOPLUS220™ TO-264-3, TO-264AA ISOPLUS220™ TO-264-3, TO-264AA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base IXFC26N50 IXFB72 IXFC13N50 IXFB80
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 4mA 5V @ 8mA 4V @ 2.5mA 5.5V @ 8mA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V 258 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS220™ PLUS264™ ISOPLUS220™ PLUS264™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V 10500 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V 15000 pF @ 25 V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 550 V 500 V 500 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc) 890W (Tc) 140W (Tc) 960W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 13A, 10V 72mOhm @ 500mA, 10V 400mOhm @ 6.5A, 10V 60mOhm @ 500mA, 10V

IXFC26N50 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFC26N50 PDF e la documentazione IXYS per IXFC26N50 - IXYS.

PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 13/Dec/2013.pdf
Schede tecniche
IXFC24N50, IXFC26N50.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
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Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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