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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFB80N50Q2
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFB80N50Q2 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFB80N50Q2
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFB80N50Q2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-264-3, TO-264AA
Scheda dati
IXFB80N50Q2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 1503

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFB80N50Q2
Specifiche tecniche IXYS - IXFB80N50Q2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFB80N50Q2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PLUS264™  
Serie HiPerFET™, Q2 Class  
Rds On (max) a Id, Vgs 60mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 960W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFB80  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFB80N50Q2

Proprietà del prodotto IXFB80N50Q2 IXFC15N80Q IXFB82N60P IXFB70N60Q2
Modello di prodotti IXFB80N50Q2 IXFC15N80Q IXFB82N60P IXFB70N60Q2
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Dissipazione di potenza (max) 960W (Tc) 230W (Tc) 1250W (Tc) 890W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 8mA 4.5V @ 4mA 5V @ 8mA 5.5V @ 8mA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 265 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base IXFB80 IXFC15N80 IXFB82 IXFB70
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Rds On (max) a Id, Vgs 60mOhm @ 500mA, 10V 650mOhm @ 500mA, 10V 75mOhm @ 41A, 10V 88mOhm @ 35A, 10V
Serie HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q2 Class
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PLUS264™ ISOPLUS220™ PLUS264™ PLUS264™
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA ISOPLUS220™ TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 800 V 600 V 600 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 25 V 4300 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 13A (Tc) 82A (Tc) 70A (Tc)

IXFB80N50Q2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFB80N50Q2 PDF e la documentazione IXYS per IXFB80N50Q2 - IXYS.

Schede tecniche
IXFB80N50Q2.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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