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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFB72N55Q2
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFB72N55Q2 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFB72N55Q2
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFB72N55Q2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-264-3, TO-264AA
Scheda dati
IXFB72N55Q2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4360

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFB72N55Q2
Specifiche tecniche IXYS - IXFB72N55Q2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFB72N55Q2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PLUS264™  
Serie HiPerFET™, Q2 Class  
Rds On (max) a Id, Vgs 72mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 890W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 258 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 550 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 72A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFB72  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFB72N55Q2

Proprietà del prodotto IXFB72N55Q2 IXFC24N50 IXFB40N110P IXFB50N80Q2
Modello di prodotti IXFB72N55Q2 IXFC24N50 IXFB40N110P IXFB50N80Q2
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 550 V 500 V 1100 V 800 V
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA ISOPLUS220™ TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 258 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 310 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Numero di prodotto di base IXFB72 IXFC24N50 IXFB40 IXFB50
Contenitore dispositivo fornitore PLUS264™ ISOPLUS220™ PLUS264™ PLUS264™
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipazione di potenza (max) 890W (Tc) 230W (Tc) 1250W (Tc) 1135W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 72mOhm @ 500mA, 10V 230mOhm @ 12A, 10V 260mOhm @ 20A, 10V 160mOhm @ 500mA, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10500 pF @ 25 V 4200 pF @ 25 V 19000 pF @ 25 V 7200 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Serie HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q2 Class
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 8mA 4V @ 4mA 6.5V @ 1mA 5.5V @ 8mA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 72A (Tc) 21A (Tc) 40A (Tc) 50A (Tc)

IXFB72N55Q2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFB72N55Q2 PDF e la documentazione IXYS per IXFB72N55Q2 - IXYS.

Schede tecniche
IXFB72N55Q2.pdf

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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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