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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFE180N20
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFE180N20 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFE180N20
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFE180N20
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 158A SOT227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXFE180N20.pdf
In magazzino: 5210

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFE180N20
Specifiche tecniche IXYS - IXFE180N20, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFE180N20

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 158A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFE180  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFE180N20

Proprietà del prodotto IXFE180N20 IXFE44N50QD2 IXFE23N100 IXFE44N50QD3
Modello di prodotti IXFE180N20 IXFE44N50QD2 IXFE23N100 IXFE44N50QD3
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 500mA, 10V 120mOhm @ 22A, 10V 430mOhm @ 11.5A, 10V 120mOhm @ 22A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc) 400W (Tc) 500W (Tc) 400W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14400 pF @ 25 V 8000 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V 8000 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 158A (Tc) 39A (Tc) 21A (Tc) 39A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Depletion HiPerFET™ HiPerFET™, Depletion
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto Tube Tube Box Tube
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 500 V 1000 V 500 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base IXFE180 IXFE44 IXFE23 IXFE44
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 8mA 4V @ 4mA 5V @ 8mA 4V @ 4mA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

IXFE180N20 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFE180N20 PDF e la documentazione IXYS per IXFE180N20 - IXYS.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Schede tecniche
IXFE180N20.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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