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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFC13N50
IXFC13N50 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFC13N50 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFC13N50
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFC13N50
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
ISOPLUS220™
Scheda dati
IXFC13N50.pdf
In magazzino: 4510

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFC13N50
Specifiche tecniche IXYS - IXFC13N50, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFC13N50

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS220™  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 400mOhm @ 6.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)  
Contenitore / involucro ISOPLUS220™  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFC13N50  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFC13N50

Proprietà del prodotto IXFC13N50 IXFB80N50Q2 IXFC15N80Q IXFC80N08
Modello di prodotti IXFC13N50 IXFB80N50Q2 IXFC15N80Q IXFC80N08
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™ HiPerFET™
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 2.5mA 5.5V @ 8mA 4.5V @ 4mA 4V @ 4mA
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc) 960W (Tc) 230W (Tc) 230W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V 15000 pF @ 25 V 4300 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro ISOPLUS220™ TO-264-3, TO-264AA ISOPLUS220™ ISOPLUS220™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) 80A (Tc) 13A (Tc) 80A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS220™ PLUS264™ ISOPLUS220™ ISOPLUS220™
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Numero di prodotto di base IXFC13N50 IXFB80 IXFC15N80 IXFC80N08
Rds On (max) a Id, Vgs 400mOhm @ 6.5A, 10V 60mOhm @ 500mA, 10V 650mOhm @ 500mA, 10V 11mOhm @ 40A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 800 V 80 V

IXFC13N50 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFC13N50 PDF e la documentazione IXYS per IXFC13N50 - IXYS.

PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 13/Dec/2013.pdf
Schede tecniche
IXFC13N50.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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