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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFC40N30Q
IXFC40N30Q Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFC40N30Q - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFC40N30Q
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFC40N30Q
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 300V ISOPLUS220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
ISOPLUS220™
Scheda dati
IXFC40N30Q.pdf
In magazzino: 5050

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFC40N30Q
Specifiche tecniche IXYS - IXFC40N30Q, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFC40N30Q

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id -  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS220™  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Dissipazione di potenza (max) -  
Contenitore / involucro ISOPLUS220™  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 300 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  
Numero di prodotto di base IXFC40N30  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFC40N30Q

Proprietà del prodotto IXFC40N30Q IXFB80N50Q2 IXFE34N100 IXFE39N90
Modello di prodotti IXFC40N30Q IXFB80N50Q2 IXFE34N100 IXFE39N90
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tensione drain-source (Vdss) 300 V 500 V 1000 V 900 V
Rds On (max) a Id, Vgs - 60mOhm @ 500mA, 10V 280mOhm @ 17A, 10V 220mOhm @ 19.5A, 10V
Numero di prodotto di base IXFC40N30 IXFB80 IXFE34 IXFE39
temperatura di esercizio - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS220™ PLUS264™ SOT-227B SOT-227B
Pacchetto Tube Tube Box Tube
Contenitore / involucro ISOPLUS220™ TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Serie - HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™ HiPerFET™
Vgs (th) (max) a Id - 5.5V @ 8mA 5.5V @ 8mA 5V @ 8mA
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - 80A (Tc) 30A (Tc) 34A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) - 960W (Tc) 580W (Tc) 580W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IXFC40N30Q Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFC40N30Q PDF e la documentazione IXYS per IXFC40N30Q - IXYS.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf Multiple Devices 13/Dec/2013.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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