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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFC15N80Q
IXFC15N80Q Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFC15N80Q - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFC15N80Q
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFC15N80Q
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
ISOPLUS220™
Scheda dati
IXFC15N80Q.pdf
In magazzino: 3940

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFC15N80Q
Specifiche tecniche IXYS - IXFC15N80Q, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFC15N80Q

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS220™  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 650mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)  
Contenitore / involucro ISOPLUS220™  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFC15N80  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFC15N80Q

Proprietà del prodotto IXFC15N80Q IXFC24N50 IXFE180N20 IXFC40N30Q
Modello di prodotti IXFC15N80Q IXFC24N50 IXFE180N20 IXFC40N30Q
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS220™ ISOPLUS220™ SOT-227B ISOPLUS220™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 500 V 200 V 300 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 4mA 4V @ 4mA 4V @ 8mA -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc) 21A (Tc) 158A (Tc) -
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc) 230W (Tc) 500W (Tc) -
Numero di prodotto di base IXFC15N80 IXFC24N50 IXFE180 IXFC40N30
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ -
Contenitore / involucro ISOPLUS220™ ISOPLUS220™ SOT-227-4, miniBLOC ISOPLUS220™
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 25 V 4200 pF @ 25 V 14400 pF @ 25 V -
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V -
Rds On (max) a Id, Vgs 650mOhm @ 500mA, 10V 230mOhm @ 12A, 10V 12mOhm @ 500mA, 10V -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Chassis Mount Through Hole
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -

IXFC15N80Q Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFC15N80Q PDF e la documentazione IXYS per IXFC15N80Q - IXYS.

PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 13/Dec/2013.pdf
Schede tecniche
IXFC15N80Q.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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