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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHUFA76407P3
HUFA76407P3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

HUFA76407P3 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
HUFA76407P3
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-HUFA76407P3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
HUFA76407P3.pdf
In magazzino: 3640

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Specifiche

Specifiche tecnologiche HUFA76407P3
Specifiche tecniche onsemi - HUFA76407P3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - HUFA76407P3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie UltraFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 92mOhm @ 13A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 38W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)  
Numero di prodotto di base HUFA76  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi HUFA76407P3

Proprietà del prodotto HUFA76407P3 HUFA76407P3 HUFA76413P3 HUFA75842S3S
Modello di prodotti HUFA76407P3 HUFA76407P3 HUFA76413P3 HUFA75842S3S
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Numero di prodotto di base HUFA76 - HUFA76 -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 150 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 D2PAK (TO-263)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 38W (Tc) 38W (Tc) 60W (Tc) 230W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc) 13A (Tc) 23A (Tc) 43A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 645 pF @ 25 V 2730 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 92mOhm @ 13A, 10V 92mOhm @ 13A, 10V 49mOhm @ 23A, 10V 42mOhm @ 43A, 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V 11.3 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 175 nC @ 20 V

HUFA76407P3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HUFA76407P3 PDF e la documentazione onsemi per HUFA76407P3 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf HUFA76407P3.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
PDN#Q1080165 17/Jan/2008.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
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