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HUFA76413DK8T - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
HUFA76413DK8T
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-HUFA76413DK8T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
HUFA76413DK8T.pdf
In magazzino: 4140

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche HUFA76413DK8T
Specifiche tecniche onsemi - HUFA76413DK8T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - HUFA76413DK8T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie UltraFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 49mOhm @ 5.1A, 10V  
Potenza - Max 2.5W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.1A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base HUFA76413  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi HUFA76413DK8T

Proprietà del prodotto HUFA76413DK8T HUFA76407DK8T HUFA76413DK8 HUFA76413DK8T
Modello di prodotti HUFA76413DK8T HUFA76407DK8T HUFA76413DK8 HUFA76413DK8T
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V 11.2nC @ 10V 23nC @ 10V 23nC @ 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60V 60V 60V 60V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 25V 330pF @ 25V 620pF @ 25V 620pF @ 25V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.1A - 5.1A (Tc) 5.1A
Rds On (max) a Id, Vgs 49mOhm @ 5.1A, 10V 90mOhm @ 3.8A, 10V 49mOhm @ 5.1A, 10V 49mOhm @ 5.1A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Potenza - Max 2.5W 2.5W 2.5W (Ta) 2.5W
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET® UltraFET™
Numero di prodotto di base HUFA76413 HUFA76407 HUFA76413 HUFA76413
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

HUFA76413DK8T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HUFA76413DK8T PDF e la documentazione onsemi per HUFA76413DK8T - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 14/Mar/2011.pdf
Schede tecniche
HUFA76413DK8T.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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