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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHUFA76409P3
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OPZIONE ESPRIT
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HUFA76409P3 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
HUFA76409P3
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-HUFA76409P3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 18A TO220-3
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
HUFA76409P3.pdf
La nostra certificazione
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Specifiche

Specifiche tecnologiche HUFA76409P3
Specifiche tecniche onsemi - HUFA76409P3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - HUFA76409P3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie UltraFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 62mOhm @ 18A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 49W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 485 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)  
Numero di prodotto di base HUFA76  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi HUFA76409P3

Proprietà del prodotto HUFA76409P3 HUFA76407P3 HUFA76409D3ST HUFA76409D3S
Modello di prodotti HUFA76409P3 HUFA76407P3 HUFA76409D3ST HUFA76409D3S
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Rds On (max) a Id, Vgs 62mOhm @ 18A, 10V 92mOhm @ 13A, 10V 63mOhm @ 18A, 10V 63mOhm @ 18A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc) 13A (Tc) 18A (Tc) 18A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 11.3 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Serie UltraFET™ UltraFET™ Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ UltraFET™
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 485 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 485 pF @ 25 V 485 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base HUFA76 HUFA76 HUFA76 HUFA76
Dissipazione di potenza (max) 49W (Tc) 38W (Tc) 49W (Tc) 49W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-252AA TO-252AA
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

HUFA76409P3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HUFA76409P3 PDF e la documentazione onsemi per HUFA76409P3 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf HUFA76409P3.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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