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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciHUFA76404DK8T
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

HUFA76404DK8T - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
HUFA76404DK8T
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-HUFA76404DK8T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
HUFA76404DK8T.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4470

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche HUFA76404DK8T
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - HUFA76404DK8T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - HUFA76404DK8T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 3.6A, 10V  
Potenza - Max 2.5W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 62V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base HUFA76404  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor HUFA76404DK8T

Proprietà del prodotto HUFA76404DK8T HUFA76407DK8T HUFA76404DK8T HUFA76407DK8T
Modello di prodotti HUFA76404DK8T HUFA76407DK8T HUFA76404DK8T HUFA76407DK8T
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 5V 11.2nC @ 10V 4.9nC @ 5V 11.2nC @ 10V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 3.6A, 10V 90mOhm @ 3.8A, 10V 110mOhm @ 3.6A, 10V 90mOhm @ 3.8A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V 330pF @ 25V 250pF @ 25V 330pF @ 25V
Numero di prodotto di base HUFA76404 HUFA76407 HUFA76404 HUFA76407
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Potenza - Max 2.5W 2.5W 2.5W 2.5W
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A - 3.6A -
Serie - UltraFET™ - UltraFET™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tensione drain-source (Vdss) 62V 60V 62V 60V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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