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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciHUFA76407DK8T
HUFA76407DK8T Image
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HUFA76407DK8T - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
HUFA76407DK8T
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-HUFA76407DK8T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
HUFA76407DK8.pdf
In magazzino: 5260

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Specifiche

Specifiche tecnologiche HUFA76407DK8T
Specifiche tecniche onsemi - HUFA76407DK8T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - HUFA76407DK8T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie UltraFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 3.8A, 10V  
Potenza - Max 2.5W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.2nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base HUFA76407  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi HUFA76407DK8T

Proprietà del prodotto HUFA76407DK8T HUFA76413DK8 HUFA76413DK8T HUFA76404DK8T
Modello di prodotti HUFA76407DK8T HUFA76413DK8 HUFA76413DK8T HUFA76404DK8T
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 3.8A, 10V 49mOhm @ 5.1A, 10V 49mOhm @ 5.1A, 10V 110mOhm @ 3.6A, 10V
Serie UltraFET™ UltraFET® UltraFET™ -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Tensione drain-source (Vdss) 60V 60V 60V 62V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V 620pF @ 25V 620pF @ 25V 250pF @ 25V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - 5.1A (Tc) 5.1A 3.6A
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numero di prodotto di base HUFA76407 HUFA76413 HUFA76413 HUFA76404
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Potenza - Max 2.5W 2.5W (Ta) 2.5W 2.5W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.2nC @ 10V 23nC @ 10V 23nC @ 10V 4.9nC @ 5V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

HUFA76407DK8T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HUFA76407DK8T PDF e la documentazione onsemi per HUFA76407DK8T - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 14/Mar/2011.pdf
Schede tecniche
HUFA76407DK8.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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