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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHUFA76407D3S
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

HUFA76407D3S - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
HUFA76407D3S
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-HUFA76407D3S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
HUFA76407D3/D3S.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 3770

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Specifiche

Specifiche tecnologiche HUFA76407D3S
Specifiche tecniche onsemi - HUFA76407D3S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - HUFA76407D3S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA  
Serie UltraFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 92mOhm @ 13A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 38W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  
Numero di prodotto di base HUFA76  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi HUFA76407D3S

Proprietà del prodotto HUFA76407D3S HUFA76409D3S HUFA75829D3ST HUFA76407P3
Modello di prodotti HUFA76407D3S HUFA76409D3S HUFA75829D3ST HUFA76407P3
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base HUFA76 HUFA76 HUFA75 -
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) 18A (Tc) 18A (Tc) 13A (Tc)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±16V
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-220-3
Dissipazione di potenza (max) 38W (Tc) 49W (Tc) 110W (Tc) 38W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 485 pF @ 25 V 1080 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 150 V 60 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 92mOhm @ 13A, 10V 63mOhm @ 18A, 10V 110mOhm @ 18A, 10V 92mOhm @ 13A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 70 nC @ 20 V 11.3 nC @ 10 V

HUFA76407D3S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HUFA76407D3S PDF e la documentazione onsemi per HUFA76407D3S - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
HUFA76407D3/D3S.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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