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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciHUFA76413DK8
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

HUFA76413DK8 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
HUFA76413DK8
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-HUFA76413DK8
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
HUFA76413DK8.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 5260

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche HUFA76413DK8
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - HUFA76413DK8, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - HUFA76413DK8

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie UltraFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 49mOhm @ 5.1A, 10V  
Potenza - Max 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.1A (Tc)  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base HUFA76413  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 3 (168 Hours)
Raggiungere lo stato Vendor Undefined
ECCN EAR99
HTSUS

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor HUFA76413DK8

Proprietà del prodotto HUFA76413DK8 HUFA76407DK8T HUFA76413DK8T HUFA76413DK8T
Modello di prodotti HUFA76413DK8 HUFA76407DK8T HUFA76413DK8T HUFA76413DK8T
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 25V 330pF @ 25V 620pF @ 25V 620pF @ 25V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Potenza - Max 2.5W (Ta) 2.5W 2.5W 2.5W
Tensione drain-source (Vdss) 60V 60V 60V 60V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Serie UltraFET® UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base HUFA76413 HUFA76407 HUFA76413 HUFA76413
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 49mOhm @ 5.1A, 10V 90mOhm @ 3.8A, 10V 49mOhm @ 5.1A, 10V 49mOhm @ 5.1A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.1A (Tc) - 5.1A 5.1A
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V 11.2nC @ 10V 23nC @ 10V 23nC @ 10V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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