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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciCSD87313DMS
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD87313DMS - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD87313DMS
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD87313DMS
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerWDFN
Scheda dati
CSD87313DMS.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 52140

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD87313DMS
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD87313DMS, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD87313DMS

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 1.25V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-WSON (3.3x3.3)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4290pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Numero di prodotto di base CSD87313  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD87313DMS

Proprietà del prodotto CSD87313DMS CSD87335Q3D CSD86311W1723 CSD87334Q3D
Modello di prodotti CSD87313DMS CSD87335Q3D CSD86311W1723 CSD87334Q3D
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - - 4.5A 20A
Numero di prodotto di base CSD87313 CSD87335Q3 CSD86311 CSD87334Q3
Vgs (th) (max) a Id 1.25V @ 250µA 1.9V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs - - 39mOhm @ 2A, 8V 6mOhm @ 12A, 8V
Caratteristica FET - - Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4290pF @ 15V 1050pF @ 15V 585pF @ 12.5V 1260pF @ 15V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 25V 30V
Contenitore dispositivo fornitore 8-WSON (3.3x3.3) 8-LSON (3.3x3.3) 12-DSBGA 8-VSON (3.3x3.3)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V 7.4nC @ 4.5V 4nC @ 4.5V 8.3nC @ 4.5V
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN 8-PowerLDFN 12-UFBGA, DSBGA 8-PowerTDFN

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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