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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciCSD86311W1723
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD86311W1723 - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD86311W1723
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD86311W1723
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
12-UFBGA, DSBGA
Scheda dati
CSD86311W1723.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 79630

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD86311W1723
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD86311W1723, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD86311W1723

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 1.4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 12-DSBGA  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 39mOhm @ 2A, 8V  
Potenza - Max 1.5W  
Contenitore / involucro 12-UFBGA, DSBGA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 585pF @ 12.5V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 25V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base CSD86311  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD86311W1723

Proprietà del prodotto CSD86311W1723 CSD75208W1015 CSD86350Q5DT CSD86330Q3D
Modello di prodotti CSD86311W1723 CSD75208W1015 CSD86350Q5DT CSD86330Q3D
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Rds On (max) a Id, Vgs 39mOhm @ 2A, 8V 68mOhm @ 1A, 4.5V 5mOhm @ 25A, 5V, 1.1mOhm @ 25A, 5V 9.6mOhm @ 14A, 8V
Numero di prodotto di base CSD86311 CSD75208 CSD86350 CSD86330Q3
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A 1.6A 40A (Ta) 20A
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) Common Source 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge)
Contenitore dispositivo fornitore 12-DSBGA 6-DSBGA (1x1.5) 8-LSON (5x6) 8-LSON (3.3x3.3)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V 2.5nC @ 4.5V 10.7nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V 6.2nC @ 4.5V
Serie NexFET™ NexFET™ - NexFET™
Vgs (th) (max) a Id 1.4V @ 250µA 1.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA, 1.6V @ 250µA 2.1V @ 250µA
Contenitore / involucro 12-UFBGA, DSBGA 6-UFBGA, DSBGA 8-PowerLDFN 8-PowerLDFN
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Potenza - Max 1.5W 750mW 13W (Ta) 6W
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 585pF @ 12.5V 410pF @ 10V 1870pF @ 12.5V, 4000pF @ 12.5V 920pF @ 12.5V
Tensione drain-source (Vdss) 25V 20V 25V 25V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

CSD86311W1723 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CSD86311W1723 PDF e la documentazione Texas Instruments per CSD86311W1723 - Texas Instruments.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Marking Chgs 4/Apr/2023.pdf

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Europa Germania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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