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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciCSD86360Q5D
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD86360Q5D - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD86360Q5D
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD86360Q5D
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerLDFN
Scheda dati
CSD86360Q5D.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 25291

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD86360Q5D
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD86360Q5D, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD86360Q5D

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-LSON (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Potenza - Max 13W  
Contenitore / involucro 8-PowerLDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2060pF @ 12.5  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.6nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 25V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A  
Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge)  
Numero di prodotto di base CSD86360Q5  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD86360Q5D

Proprietà del prodotto CSD86360Q5D CSD87330Q3D CSD85312Q3E CSD87333Q3D
Modello di prodotti CSD86360Q5D CSD87330Q3D CSD85312Q3E CSD87333Q3D
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Contenitore dispositivo fornitore 8-LSON (5x6) 8-LSON (3.3x3.3) 8-VSON (3.3x3.3) 8-VSON (3.3x3.3)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2060pF @ 12.5 900pF @ 15V 2390pF @ 10V 662pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.6nC @ 4.5V 5.8nC @ 4.5V 15.2nC @ 4.5V 4.6nC @ 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 25V 30V 20V 30V
Rds On (max) a Id, Vgs - - 12.4mOhm @ 10A, 8V 14.3mOhm @ 4A, 8V
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Potenza - Max 13W 6W 2.5W 6W
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate, 5V Drive Logic Level Gate, 5V Drive
Numero di prodotto di base CSD86360Q5 CSD87330 CSD85312 CSD87333Q3
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro 8-PowerLDFN 8-PowerLDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A 20A 39A 15A
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 125°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) Common Source 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1.2V @ 250µA

CSD86360Q5D Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CSD86360Q5D PDF e la documentazione Texas Instruments per CSD86360Q5D - Texas Instruments.

PCN Design/Specifica
Qualification Revision A 01/Jul/2014.pdf CSD86360Q5D 03/Jul/2018.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly/Test Site Addition 10/Aug/2015.pdf
Packaging PCN
MSL1 Bubble Bag Conversion 24/Sep/2013.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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