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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciCSD87334Q3D
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD87334Q3D - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD87334Q3D
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD87334Q3D
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
CSD87334Q3D.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 73700

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD87334Q3D
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD87334Q3D, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD87334Q3D

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-VSON (3.3x3.3)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 6mOhm @ 12A, 8V  
Potenza - Max 6W  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1260pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical  
Numero di prodotto di base CSD87334Q3  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD87334Q3D

Proprietà del prodotto CSD87334Q3D CSD87351ZQ5D CSD87350Q5D CSD87313DMST
Modello di prodotti CSD87334Q3D CSD87351ZQ5D CSD87350Q5D CSD87313DMST
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A 32A 40A -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 6W 12W 12W 2.7W
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerLDFN 8-PowerLDFN 8-PowerWDFN
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-VSON (3.3x3.3) 8-LSON (5x6) 8-LSON (5x6) 8-WSON (3.3x3.3)
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base CSD87334Q3 CSD87351 CSD87350Q5 CSD87313
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 6mOhm @ 12A, 8V - 5.9mOhm @ 20A, 8V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 4.5V 7.7nC @ 4.5V 10.9nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1260pF @ 15V 1255pF @ 15V 1770pF @ 15V 4290pF @ 15V

CSD87334Q3D Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CSD87334Q3D PDF e la documentazione Texas Instruments per CSD87334Q3D - Texas Instruments.

Assemblaggio/origine PCN
CSDYYY 13/Feb/2017.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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