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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciCSD87333Q3D
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD87333Q3D - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD87333Q3D
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD87333Q3D
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
CSD87333Q3D.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 81840

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD87333Q3D
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD87333Q3D, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD87333Q3D

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-VSON (3.3x3.3)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 14.3mOhm @ 4A, 8V  
Potenza - Max 6W  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 125°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 662pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate, 5V Drive  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical  
Numero di prodotto di base CSD87333Q3  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD87333Q3D

Proprietà del prodotto CSD87333Q3D CSD86356Q5D CSD86350Q5DT CSD87313DMS
Modello di prodotti CSD87333Q3D CSD86356Q5D CSD86350Q5DT CSD87313DMS
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Potenza - Max 6W 12W (Ta) 13W (Ta) -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA 2.1V @ 250µA, 1.6V @ 250µA 1.25V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 30V 25V 25V 30V
Contenitore dispositivo fornitore 8-VSON (3.3x3.3) 8-VSON-CLIP (5x6) 8-LSON (5x6) 8-WSON (3.3x3.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A 40A (Ta) 40A (Ta) -
Numero di prodotto di base CSD87333Q3 CSD86356 CSD86350 CSD87313
Rds On (max) a Id, Vgs 14.3mOhm @ 4A, 8V 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V 5mOhm @ 25A, 5V, 1.1mOhm @ 25A, 5V -
Serie NexFET™ NexFET™ - NexFET™
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 662pF @ 15V 1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V 1870pF @ 12.5V, 4000pF @ 12.5V 4290pF @ 15V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio 125°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerLDFN 8-PowerWDFN
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V 10.7nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V
Caratteristica FET Logic Level Gate, 5V Drive Logic Level Gate, 5V Drive - -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) Common Drain

CSD87333Q3D Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CSD87333Q3D PDF e la documentazione Texas Instruments per CSD87333Q3D - Texas Instruments.

PCN Design/Specifica
Qualification Revision A 01/Jul/2014.pdf
Assemblaggio/origine PCN
CSDYYY 13/Feb/2017.pdf

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