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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRAL025P01TCR
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RAL025P01TCR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RAL025P01TCR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RAL025P01TCR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-SMD, Flat Leads
Scheda dati
RAL025P01TCR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 281840

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RAL025P01TCR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RAL025P01TCR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RAL025P01TCR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) -8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TUMT6  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 62mOhm @ 2.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 320mW (Ta)  
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 6 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 12 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base RAL025  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RAL025P01TCR

Proprietà del prodotto RAL025P01TCR NTP18N06 FQP14N30 APT100F50J
Modello di prodotti RAL025P01TCR NTP18N06 FQP14N30 APT100F50J
fabbricante Rohm Semiconductor onsemi onsemi Microchip Technology
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 5mA
Tensione drain-source (Vdss) 12 V 60 V 300 V 500 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 10V 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 62mOhm @ 2.5A, 4.5V 90mOhm @ 7.5A, 10V 290mOhm @ 7.2A, 10V 36mOhm @ 75A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TUMT6 TO-220 TO-220-3 ISOTOP®
Serie - - QFET® POWER MOS 8™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta) 15A (Tc) 14.4A (Tc) 103A (Tc)
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads TO-220-3 TO-220-3 SOT-227-4, miniBLOC
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V 22 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 620 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 320mW (Ta) 48.4W (Tc) 147W (Tc) 960W (Tc)
Numero di prodotto di base RAL025 NTP18N FQP14 APT100
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Chassis Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Vgs (Max) -8V ±20V ±30V ±30V
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 6 V 450 pF @ 25 V 1360 pF @ 25 V 24600 pF @ 25 V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

RAL025P01TCR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RAL025P01TCR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RAL025P01TCR - Rohm Semiconductor.

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