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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTP18N06
NTP18N06 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTP18N06 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTP18N06
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTP18N06
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
NTB,NTP18N06.pdf
In magazzino: 4940

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTP18N06
Specifiche tecniche onsemi - NTP18N06, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTP18N06

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 48.4W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)  
Numero di prodotto di base NTP18N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTP18N06

Proprietà del prodotto NTP18N06 NTP2955 NTP125N02RG NTP18N06G
Modello di prodotti NTP18N06 NTP2955 NTP125N02RG NTP18N06G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 28 nC @ 4.5 V 22 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc) 2.4A (Ta) 15.9A (Ta) 15A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 3440 pF @ 20 V 450 pF @ 25 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Dissipazione di potenza (max) 48.4W (Tc) 2.4W (Ta), 62.5W (Tc) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) 48.4W (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Numero di prodotto di base NTP18N NTP295 NTP125 NTP18N
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 7.5A, 10V 196mOhm @ 12A, 10V 4.6mOhm @ 20A, 10V 90mOhm @ 7.5A, 10V
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 24 V 60 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220

NTP18N06 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTP18N06 PDF e la documentazione onsemi per NTP18N06 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 11/Feb/2009.pdf
Schede tecniche
NTB,NTP18N06.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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