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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFP18N60X
IXFP18N60X Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFP18N60X - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFP18N60X
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFP18N60X
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IXF(A,P,H)18N60X.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 7039

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFP18N60X
Specifiche tecniche IXYS - IXFP18N60X, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFP18N60X

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 1.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie HiPerFET™, Ultra X  
Rds On (max) a Id, Vgs 230mOhm @ 9A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 320W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1440 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFP18  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFP18N60X

Proprietà del prodotto IXFP18N60X IXFP16N50P IXFP20N85X IXFP34N65X2
Modello di prodotti IXFP18N60X IXFP16N50P IXFP20N85X IXFP34N65X2
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 1.5mA 5.5V @ 2.5mA 5.5V @ 2.5mA 5.5V @ 2.5mA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc) 16A (Tc) 20A (Tc) 34A (Tc)
Serie HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™, Ultra X2
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Dissipazione di potenza (max) 320W (Tc) 300W (Tc) 540W (Tc) 540W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 230mOhm @ 9A, 10V 400mOhm @ 8A, 10V 330mOhm @ 500mA, 10V 105mOhm @ 17A, 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1440 pF @ 25 V 2250 pF @ 25 V 1660 pF @ 25 V 3330 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 500 V 850 V 650 V
Numero di prodotto di base IXFP18 IXFP16 IXFP20 IXFP34
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V

IXFP18N60X Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFP18N60X PDF e la documentazione IXYS per IXFP18N60X - IXYS.

Schede tecniche
IXF(A,P,H)18N60X.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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