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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMG9N65CTI
DMG9N65CTI Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

DMG9N65CTI - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMG9N65CTI
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMG9N65CTI
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 9A ITO220AB
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Scheda dati
DMG9N65CTI.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4990

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMG9N65CTI
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMG9N65CTI, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMG9N65CTI

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ITO-220AB  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.3Ohm @ 4.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 13W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2310 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)  
Numero di prodotto di base DMG9  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Affected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMG9N65CTI

Proprietà del prodotto DMG9N65CTI DMG9N65CT DMG9933USD-13 MOS DMG9933USD-13
Modello di prodotti DMG9N65CTI DMG9N65CT DMG9933USD-13 MOS DMG9933USD-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Contenitore dispositivo fornitore ITO-220AB TO-220-3 - 8-SO
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 650 V - 20V
Serie - - - -
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole - Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 13W (Tc) 165W (Tc) - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA - 1.1V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 1.3Ohm @ 4.5A, 10V 1.3Ohm @ 4.5A, 10V - 75mOhm @ 4.8A, 4.5V
Numero di prodotto di base DMG9 DMG9 - DMG9933
Pacchetto Tube Tube - Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc) 9A (Tc) - 4.6A
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V - 6.5nC @ 4.5V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2310 pF @ 25 V 2310 pF @ 25 V - 608.4pF @ 6V
Vgs (Max) ±30V ±30V - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - Logic Level Gate

DMG9N65CTI Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMG9N65CTI PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMG9N65CTI - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices EOL 05/Feb/2019.pdf
Schede tecniche
DMG9N65CTI.pdf

Metodo di spedizione

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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