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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT100F50J
APT100F50J Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

APT100F50J - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
APT100F50J
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-APT100F50J
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 103A ISOTOP
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
APT100F50J.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 636

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche APT100F50J
Specifiche tecniche Microchip Technology - APT100F50J, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - APT100F50J

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP®  
Serie POWER MOS 8™  
Rds On (max) a Id, Vgs 36mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 960W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 24600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 620 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 103A (Tc)  
Numero di prodotto di base APT100  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology APT100F50J

Proprietà del prodotto APT100F50J APT100M50J APT10090BLLG APT10090BLL
Modello di prodotti APT100F50J APT100M50J APT10090BLLG APT10090BLL
fabbricante Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology APT
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 103A (Tc) 103A (Tc) 12A (Tc) -
Dissipazione di potenza (max) 960W (Tc) 960W (Tc) 298W (Tc) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 5mA 5V @ 5mA 5V @ 1mA -
Numero di prodotto di base APT100 APT100 APT10090 -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 620 nC @ 10 V 620 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V -
Pacchetto Tube Tube Tube -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V -
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP® SOT-227 TO-247 [B] -
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 1000 V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Rds On (max) a Id, Vgs 36mOhm @ 75A, 10V 38mOhm @ 75A, 10V 950mOhm @ 6A, 10V -
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Through Hole -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Serie POWER MOS 8™ - POWER MOS 7® -
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 24600 pF @ 25 V 24600 pF @ 25 V 1969 pF @ 25 V -

APT100F50J Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT100F50J PDF e la documentazione Microchip Technology per APT100F50J - Microchip Technology.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Altro
Integration 13/May/2020.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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