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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRAL045P01TCR
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RAL045P01TCR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RAL045P01TCR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RAL045P01TCR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-SMD, Flat Leads
Scheda dati
RAL045P01TCR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 105060

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RAL045P01TCR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RAL045P01TCR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RAL045P01TCR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) -8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TUMT6  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 4.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)  
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 6 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 12 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base RAL045  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RAL045P01TCR

Proprietà del prodotto RAL045P01TCR FK6K02010L FDS7088N7 IRFM120ATF
Modello di prodotti RAL045P01TCR FK6K02010L FDS7088N7 IRFM120ATF
fabbricante Rohm Semiconductor Panasonic Electronic Components onsemi onsemi
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad TO-261-4, TO-261AA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 2.5V, 4V 4.5V, 10V 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 4.5 V - 48 nC @ 5 V 22 nC @ 10 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Serie - - PowerTrench® -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) 700mW (Ta) 3W (Ta) 2.4W (Ta)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA 1.3V @ 1mA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 12 V 20 V 30 V 100 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Ta) 4.5A (Ta) 23A (Ta) 2.3A (Ta)
Numero di prodotto di base RAL045 - FDS70 IRFM120
Vgs (Max) -8V ±10V ±20V ±20V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 4.5A, 4.5V 17.5mOhm @ 2A, 4.5V 3mOhm @ 23A, 10V 200mOhm @ 1.15A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 6 V 1730 pF @ 10 V 3845 pF @ 15 V 480 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore TUMT6 WSMini6-F1-B 8-SO FLMP SOT-223-4

RAL045P01TCR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RAL045P01TCR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RAL045P01TCR - Rohm Semiconductor.

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