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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLMS2002TR
IRLMS2002TR Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLMS2002TR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLMS2002TR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLMS2002TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6
Scheda dati
IRLMS2002TR.pdf
In magazzino: 4810

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLMS2002TR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLMS2002TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLMS2002TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Micro6™(SOT23-6)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Contenitore / involucro SOT-23-6  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLMS2002TR

Proprietà del prodotto IRLMS2002TR IRLMS1902TR IRLMS1503TRPBF IRLMS2002
Modello di prodotti IRLMS2002TR IRLMS1902TR IRLMS1503TRPBF IRLMS2002
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 30 V 20 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta) 3.2A (Ta) 3.2A (Ta) 6.5A (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 100mOhm @ 2.2A, 4.5V 100mOhm @ 2.2A, 10V 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Contenitore / involucro SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Pacchetto Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Contenitore dispositivo fornitore Micro6™(SOT23-6) Micro6™(TSOP-6) Micro6™(TSOP-6) Micro6™(SOT23-6)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V 7 nC @ 4.5 V 9.6 nC @ 10 V 22 nC @ 5 V
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 15 V 300 pF @ 15 V 210 pF @ 25 V 1310 pF @ 15 V

IRLMS2002TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLMS2002TR PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLMS2002TR - Infineon Technologies.

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PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 03/Apr/2013.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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