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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLMS2002TRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRLMS2002TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLMS2002TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLMS2002TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Pacchetto
SOT-23-6
Scheda dati
IRLMS2002TRPBF.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 151420

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Quantità
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La nostra certificazione

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLMS2002TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLMS2002TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLMS2002TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Micro6™(SOT23-6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base IRLMS2002  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLMS2002TRPBF

Proprietà del prodotto IRLMS2002TRPBF IRLMS1503TR IRLMS2002TR IRLMS4502TR
Modello di prodotti IRLMS2002TRPBF IRLMS1503TR IRLMS2002TR IRLMS4502TR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 30 V 20 V 12 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore Micro6™(SOT23-6) Micro6™(TSOP-6) Micro6™(SOT23-6) Micro6™(TSOP-6)
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 15 V 210 pF @ 25 V 1310 pF @ 15 V 1820 pF @ 10 V
Contenitore / involucro SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) - - 1.7W (Ta)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta) 3.2A (Ta) 6.5A (Ta) 5.5A (Ta)
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 100mOhm @ 2.2A, 10V 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 42mOhm @ 5.5A, 4.5V
Numero di prodotto di base IRLMS2002 - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V 9.6 nC @ 10 V 22 nC @ 5 V 33 nC @ 5 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® - - HEXFET®
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V - - 2.5V, 4.5V
Vgs (Max) ±12V - - ±12V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

IRLMS2002TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLMS2002TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLMS2002TRPBF - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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