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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLMS5703TR
IRLMS5703TR Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLMS5703TR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLMS5703TR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLMS5703TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6
Scheda dati
IRLMS5703TR.pdf
In magazzino: 4310

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLMS5703TR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLMS5703TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLMS5703TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Micro6™(SOT23-6)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 10V  
Contenitore / involucro SOT-23-6  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLMS5703TR

Proprietà del prodotto IRLMS5703TR IRLMS2002TR IRLMS6802TR IRLMS4502TR
Modello di prodotti IRLMS5703TR IRLMS2002TR IRLMS6802TR IRLMS4502TR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V 1310 pF @ 15 V 1079 pF @ 10 V 1820 pF @ 10 V
Contenitore / involucro SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 20 V 20 V 12 V
Serie - - - HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 10V 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 50mOhm @ 5.1A, 4.5V 42mOhm @ 5.5A, 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore Micro6™(SOT23-6) Micro6™(SOT23-6) Micro6™(SOT23-6) Micro6™(TSOP-6)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 22 nC @ 5 V 16 nC @ 5 V 33 nC @ 5 V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta) 6.5A (Ta) 5.6A (Ta) 5.5A (Ta)
Pacchetto Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

IRLMS5703TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLMS5703TR PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLMS5703TR - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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