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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRLML9303TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLML9303TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLML9303TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
IRLML9303TRPBF.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 260560

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLML9303TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLML9303TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLML9303TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 10µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Micro3™/SOT-23  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 165mOhm @ 2.3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 160 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta)  
Numero di prodotto di base IRLML9303  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLML9303TRPBF

Proprietà del prodotto IRLML9303TRPBF IRLMS2002 IRLMS2002TR IRLMS1503TR
Modello di prodotti IRLML9303TRPBF IRLMS2002 IRLMS2002TR IRLMS1503TR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)
Vgs (Max) ±20V ±12V - -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 20 V 20 V 30 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta) 6.5A (Ta) 6.5A (Ta) 3.2A (Ta)
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base IRLML9303 IRLMS200 - -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 10µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 160 pF @ 25 V 1310 pF @ 15 V 1310 pF @ 15 V 210 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore Micro3™/SOT-23 Micro6™(SOT23-6) Micro6™(SOT23-6) Micro6™(TSOP-6)
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® - -
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta) 2W (Ta) - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2 nC @ 4.5 V 22 nC @ 5 V 22 nC @ 5 V 9.6 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 165mOhm @ 2.3A, 10V 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 100mOhm @ 2.2A, 10V

IRLML9303TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLML9303TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLML9303TRPBF - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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