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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLMS1902TRPBF
IRLMS1902TRPBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLMS1902TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLMS1902TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLMS1902TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6
Scheda dati
IRLMS1902TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4110

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLMS1902TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLMS1902TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLMS1902TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Micro6™(TSOP-6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.7W (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta)  
Numero di prodotto di base IRLMS1902  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLMS1902TRPBF

Proprietà del prodotto IRLMS1902TRPBF IRLMS4502TR IRLMS2002 IRLMS1503TR
Modello di prodotti IRLMS1902TRPBF IRLMS4502TR IRLMS2002 IRLMS1503TR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V -
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 4.5V 42mOhm @ 5.5A, 4.5V 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 100mOhm @ 2.2A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 4.5 V 33 nC @ 5 V 22 nC @ 5 V 9.6 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 15 V 1820 pF @ 10 V 1310 pF @ 15 V 210 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore Micro6™(TSOP-6) Micro6™(TSOP-6) Micro6™(SOT23-6) Micro6™(TSOP-6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta) 5.5A (Ta) 6.5A (Ta) 3.2A (Ta)
Dissipazione di potenza (max) 1.7W (Ta) 1.7W (Ta) 2W (Ta) -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT)
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 12 V 20 V 30 V
Numero di prodotto di base IRLMS1902 - IRLMS200 -
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA (Min) 600mV @ 250µA (Min) 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA

IRLMS1902TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLMS1902TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLMS1902TRPBF - Infineon Technologies.

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