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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLMS2002
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRLMS2002 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLMS2002
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLMS2002
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Pacchetto
SOT-23-6
Scheda dati
IRLMS2002.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 3730

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLMS2002
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLMS2002, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLMS2002

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Micro6™(SOT23-6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-23-6  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base IRLMS200  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS RoHS non conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLMS2002

Proprietà del prodotto IRLMS2002 IRLMS1503TRPBF IRLMS4502TR IRLMS1902TRPBF
Modello di prodotti IRLMS2002 IRLMS1503TRPBF IRLMS4502TR IRLMS1902TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta) 3.2A (Ta) 5.5A (Ta) 3.2A (Ta)
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V 9.6 nC @ 10 V 33 nC @ 5 V 7 nC @ 4.5 V
Contenitore dispositivo fornitore Micro6™(SOT23-6) Micro6™(TSOP-6) Micro6™(TSOP-6) Micro6™(TSOP-6)
Numero di prodotto di base IRLMS200 IRLMS1503 - IRLMS1902
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) 1.7W (Ta) 1.7W (Ta) 1.7W (Ta)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min)
Contenitore / involucro SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Vgs (Max) ±12V ±20V ±12V ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 15 V 210 pF @ 25 V 1820 pF @ 10 V 300 pF @ 15 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 2.7V, 4.5V
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 30 V 12 V 20 V
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 100mOhm @ 2.2A, 10V 42mOhm @ 5.5A, 4.5V 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRLMS2002 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLMS2002 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLMS2002 - Infineon Technologies.

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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