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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL100HS121
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL100HS121 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRL100HS121
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL100HS121
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-PowerVDFN
Scheda dati
IRL100HS121.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 57070

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL100HS121
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRL100HS121, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRL100HS121

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 10µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-PQFN Dual (2x2)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 42mOhm @ 6.7A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 11.5W (Tc)  
Contenitore / involucro 6-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL100  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRL100HS121

Proprietà del prodotto IRL100HS121 IRL1104SPBF IRL1104 IRL1404LPBF
Modello di prodotti IRL100HS121 IRL1104SPBF IRL1104 IRL1404LPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.3V, 10V
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc) 104A (Tc) 104A (Tc) 160A (Tc)
Contenitore / involucro 6-PowerVDFN TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Numero di prodotto di base IRL100 - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 10µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 42mOhm @ 6.7A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 4mOhm @ 95A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 40 V 40 V 40 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 50 V 3445 pF @ 25 V 3445 pF @ 25 V 6600 pF @ 25 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±16V ±16V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 11.5W (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc) 167W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V 140 nC @ 5 V
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Contenitore dispositivo fornitore 6-PQFN Dual (2x2) D2PAK TO-220AB TO-262

IRL100HS121 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL100HS121 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRL100HS121 - Infineon Technologies.

PCN Design/Specifica
Mult Dev DC/Mark Chgs 20/Jul/2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Wafer Chgs 3/Nov/2022.pdf

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