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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL1004LPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL1004LPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRL1004LPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL1004LPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 130A TO262
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
IRL1004LPBF.pdf
In magazzino: 5450

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL1004LPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRL1004LPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRL1004LPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 6.5mOhm @ 78A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5330 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 130A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRL1004LPBF

Proprietà del prodotto IRL1004LPBF IRL1104PBF IRL1104S IRL1004
Modello di prodotti IRL1004LPBF IRL1104PBF IRL1104S IRL1004
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5330 pF @ 25 V 3445 pF @ 25 V 3445 pF @ 25 V 5330 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-262 TO-220AB D2PAK TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 130A (Tc) 104A (Tc) 104A (Tc) 130A (Tc)
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Rds On (max) a Id, Vgs 6.5mOhm @ 78A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 6.5mOhm @ 78A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 167W (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc) 200W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V 100 nC @ 4.5 V

IRL1004LPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL1004LPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRL1004LPBF - Infineon Technologies.

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Europa Germania 5
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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