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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL1404LPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL1404LPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRL1404LPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL1404LPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 160A TO262
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
IRL1404LPBF.pdf
In magazzino: 4470

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL1404LPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRL1404LPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRL1404LPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4mOhm @ 95A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.3V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRL1404LPBF

Proprietà del prodotto IRL1404LPBF IRL1104S IRL1404PBF IRL1404STRLPBF
Modello di prodotti IRL1404LPBF IRL1104S IRL1404PBF IRL1404STRLPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc) 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±20V
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.3V, 10V 4.5V, 10V 4.3V, 10V 4.3V, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-262 D2PAK TO-220AB D2PAK
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc) 104A (Tc) 160A (Tc) 160A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Rds On (max) a Id, Vgs 4mOhm @ 95A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 4mOhm @ 95A, 10V 4mOhm @ 95A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V 3445 pF @ 25 V 6590 pF @ 25 V 6600 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Pacchetto Tube Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 5 V 68 nC @ 4.5 V 140 nC @ 5 V 140 nC @ 5 V

IRL1404LPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL1404LPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRL1404LPBF - Infineon Technologies.

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