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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL1004PBF
IRL1004PBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL1004PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRL1004PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL1004PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRL1004PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 23055

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL1004PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRL1004PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRL1004PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 6.5mOhm @ 78A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5330 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 130A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL1004  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRL1004PBF

Proprietà del prodotto IRL1004PBF IRL1004S IRL1104 IRL100HS121
Modello di prodotti IRL1004PBF IRL1004S IRL1104 IRL100HS121
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB D2PAK TO-220AB 6-PQFN Dual (2x2)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 6-PowerVDFN
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 4.5 V 100 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V 5.6 nC @ 4.5 V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 100 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 130A (Tc) 130A (Tc) 104A (Tc) 11A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 6.5mOhm @ 78A, 10V 6.5mOhm @ 78A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 42mOhm @ 6.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 167W (Tc) 11.5W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.3V @ 10µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numero di prodotto di base IRL1004 IRL1004 - IRL100
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5330 pF @ 25 V 5330 pF @ 25 V 3445 pF @ 25 V 440 pF @ 50 V

IRL1004PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL1004PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRL1004PBF - Infineon Technologies.

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