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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL1104S
IRL1104S Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL1104S - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRL1104S
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL1104S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRL1104S/L.pdf
In magazzino: 4660

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL1104S
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRL1104S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRL1104S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 62A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta), 167W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3445 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 104A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRL1104S

Proprietà del prodotto IRL1104S IRL1104 IRL1104LPBF IRL100HS121
Modello di prodotti IRL1104S IRL1104 IRL1104LPBF IRL100HS121
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 62A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 42mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta), 167W (Tc) 167W (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc) 11.5W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.3V @ 10µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3445 pF @ 25 V 3445 pF @ 25 V 3445 pF @ 25 V 440 pF @ 50 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V 5.6 nC @ 4.5 V
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK TO-220AB TO-262 6-PQFN Dual (2x2)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 6-PowerVDFN
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 100 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 104A (Tc) 104A (Tc) 104A (Tc) 11A (Tc)

IRL1104S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL1104S PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRL1104S - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Schede tecniche
IRL1104S/L.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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