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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL1004
IRL1004 Image
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IRL1004 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRL1004
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL1004
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRL1004.pdf
In magazzino: 5210

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL1004
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRL1004, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRL1004

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 6.5mOhm @ 78A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5330 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 130A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRL1004

Proprietà del prodotto IRL1004 IRL1104LPBF IRL100HS121 IRL1104S
Modello di prodotti IRL1004 IRL1104LPBF IRL100HS121 IRL1104S
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.3V @ 10µA 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±16V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 6-PowerVDFN TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc) 11.5W (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 130A (Tc) 104A (Tc) 11A (Tc) 104A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5330 pF @ 25 V 3445 pF @ 25 V 440 pF @ 50 V 3445 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-262 6-PQFN Dual (2x2) D2PAK
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V 5.6 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 100 V 40 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 6.5mOhm @ 78A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 42mOhm @ 6.7A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®

IRL1004 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL1004 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRL1004 - Infineon Technologies.

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Mult Dev EOL 11/Aug/2008.pdf

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