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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF1010ZSTRLPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF1010ZSTRLPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF1010ZSTRLPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF1010ZSTRLPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRF1010ZSTRLPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 19179

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF1010ZSTRLPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF1010ZSTRLPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF1010ZSTRLPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF1010  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF1010ZSTRLPBF

Proprietà del prodotto IRF1010ZSTRLPBF IRF1010ZL IRF1010NSTRRPBF IRF1018EPBF
Modello di prodotti IRF1010ZSTRLPBF IRF1010ZL IRF1010NSTRRPBF IRF1018EPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5mOhm @ 75A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V 11mOhm @ 43A, 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 60 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 85A (Tc) 79A (Tc)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Numero di prodotto di base IRF1010 - IRF1010 IRF1018
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK TO-262 D2PAK TO-220AB
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V 3210 pF @ 25 V 2290 pF @ 50 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 100µA
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc) 140W (Tc) 180W (Tc) 110W (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

IRF1010ZSTRLPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF1010ZSTRLPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF1010ZSTRLPBF - Infineon Technologies.

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