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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF1018EPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF1018EPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF1018EPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF1018EPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRF1018EPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 62190

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF1018EPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF1018EPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF1018EPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 8.4mOhm @ 47A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2290 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 79A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF1018  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF1018EPBF

Proprietà del prodotto IRF1018EPBF IRF1010ZPBF IRF1104LPBF IRF1010ZLPBF
Modello di prodotti IRF1018EPBF IRF1010ZPBF IRF1104LPBF IRF1010ZLPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc) 140W (Tc) - 140W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 55 V 40 V 55 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 79A (Tc) 75A (Tc) 100A (Tc) 75A (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2290 pF @ 50 V 2840 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220AB TO-262 TO-262
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 8.4mOhm @ 47A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V 9mOhm @ 60A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V
Numero di prodotto di base IRF1018 IRF1010 - -

IRF1018EPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF1018EPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF1018EPBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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