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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF1010NSTRRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF1010NSTRRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF1010NSTRRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRF1010NSTRRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3960

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF1010NSTRRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF1010NSTRRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF1010NSTRRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 43A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3210 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 85A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF1010  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF1010NSTRRPBF

Proprietà del prodotto IRF1010NSTRRPBF IRF1010Z IRF1010ZS IRF1010ZSPBF
Modello di prodotti IRF1010NSTRRPBF IRF1010Z IRF1010ZS IRF1010ZSPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK TO-220AB D2PAK D2PAK
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 43A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Numero di prodotto di base IRF1010 - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 85A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3210 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Bulk
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -

IRF1010NSTRRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF1010NSTRRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF1010NSTRRPBF - Infineon Technologies.

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