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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF1010ZPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF1010ZPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF1010ZPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRF1010ZPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 35273

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF1010ZPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF1010ZPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF1010ZPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF1010  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF1010ZPBF

Proprietà del prodotto IRF1010ZPBF IRF1018ESPBF IRF1010NSTRRPBF IRF1010ZSPBF
Modello di prodotti IRF1010ZPBF IRF1018ESPBF IRF1010NSTRRPBF IRF1010ZSPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc) 110W (Tc) 180W (Tc) 140W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 79A (Tc) 85A (Tc) 75A (Tc)
Numero di prodotto di base IRF1010 - IRF1010 -
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 60 V 55 V 55 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V 2290 pF @ 50 V 3210 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB D2PAK D2PAK D2PAK
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5mOhm @ 75A, 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V 11mOhm @ 43A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V
Caratteristica FET - - - -

IRF1010ZPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF1010ZPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF1010ZPBF - Infineon Technologies.

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