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IRF1010ZS Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF1010ZS - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF1010ZS
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF1010ZS
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRF1010Z(S,L).pdf
In magazzino: 4520

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF1010ZS
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF1010ZS, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF1010ZS

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF1010ZS

Proprietà del prodotto IRF1010ZS IRF1010Z IRF1010NSTRR IRF1010ZPBF
Modello di prodotti IRF1010ZS IRF1010Z IRF1010NSTRR IRF1010ZPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc) 140W (Tc) 180W (Tc) 140W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5mOhm @ 75A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V 11mOhm @ 43A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V 3210 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 85A (Tc) 75A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK TO-220AB D2PAK TO-220AB
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

IRF1010ZS Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF1010ZS PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF1010ZS - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Schede tecniche
IRF1010Z(S,L).pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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